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规格书 |
NTHC5513 |
文档 |
Multiple Devices 20/Aug/2008 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | N and P-Channel |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2.9A, 2.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 4nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 180pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
供应商器件封装 | ChipFET™ |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.9A, 2.2A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
供应商设备封装 | ChipFET™ |
其他名称 | NTHC5513T1OS |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
FET型 | N and P-Channel |
功率 - 最大 | 1.1W |
标准包装 | 3,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 180pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 4nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
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